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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的“开关”吗？STP200NF04L正是为您而生的高效能N沟道MOSFET。它拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅3.8毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭大功率DC-DC转换、电机驱动和负载开关等应用。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，而TO-220AB封装则提供了出色的散热能力。选择它，意味着您为产品注入了ST意法半导体STripFET II技术的可靠基因，在提升性能的同时，有效简化热管理设计，让您的项目运行更高效、更稳定。

• 型号:STP200NF04L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF04L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。