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您正在寻找一颗能“大力出奇迹”的功率开关吗？STP200NF04正是这样一款产品。它能轻松处理高达120A的连续电流，凭借仅3.7毫欧的超低导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更加高效、凉爽。

这颗N沟道MOSFET采用坚固的TO-220AB封装，能承受310W的功率耗散，并在-55°C到175°C的极端温度下稳定工作。无论是用于提升工业设备的驱动能力，还是优化能源系统的效率，它都能成为您设计中可靠的能量控制核心，助您简化设计，提升整体性能。

• 型号:STP200NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。