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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持冷静高效的“核心执行者”吗？STP19NB20正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有200V耐压和19A电流能力，其精髓在于采用先进的PowerMESH技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更省电。

它具备快速的开关响应和较低的栅极电荷，让您能轻松实现高效的高频开关操作。高达125W的功率处理能力和150°C的结温，配合经典的TO-220AB封装，确保了它在严苛环境下的长期稳定性和出色的散热表现。选择它，就是为您的功率应用注入一份强劲而可靠的动力源泉。

• 型号:STP19NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NB20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。