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当您的设计面临高电流、高效率的严苛挑战时，STP190N55LF3就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为驾驭55V/120A的强劲电力而打造，其核心使命是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

它采用先进的STripFET技术，实现了超低的3.7毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷设计让开关速度更快，驱动更轻松。无论是用于服务器电源、工业设备还是新能源应用，它都能让您轻松应对高功率需求，确保系统稳定可靠，助您打造更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STP190N55LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP190N55LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。