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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP16NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和15A的强大电流通过能力，让您在设计工业电源、电机驱动或UPS系统时，面对严苛的电气环境也能信心十足。

它的核心魅力在于卓越的效率。低至260毫欧的导通电阻，意味着更少的导通损耗，电能得以更高效地传输，直接帮助您提升整机能效，降低散热需求。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，进一步减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更稳定。高达125W的功率处理能力和150°C的工作结温，则为长期可靠运行提供了坚实保障。

选择STP16NM50N，就是选择了一个久经考验、性能与可靠性兼备的功率核心。它能简化您的设计挑战，让您轻松实现高效、可靠的功率转换与控制，为最终产品注入强大的市场竞争力。

• 型号:STP16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。