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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP16NK65Z正是为此而生。它集成了ST引以为傲的SuperMESH技术，在650V的漏源电压下，仅需10V驱动电压即可实现极低的导通电阻，让您在处理高达13A电流时，也能最大限度地减少能量损耗，提升整个系统的运行效率。

这颗芯片能轻松应对开关电源、电机驱动等应用中的高频开关挑战。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的设计更简洁，性能更强劲。TO-220AB封装提供了出色的散热路径，确保芯片在高功率耗散下依然稳定工作，是您构建可靠、高效电力系统的坚实基石。

• 型号:STP16NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NK65Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。