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您正在为高压大电流的开关应用寻找一颗既强韧又高效的“心脏”吗？STP16NK60Z正是为此而生。这颗N沟道功率MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流吞吐能力，源自ST先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率的利器。优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，有效减少开关损耗，提升整体响应速度。无论是用于构建紧凑型开关电源，还是驱动高性能电机，STP16NK60Z都能让您轻松应对高功率挑战，实现高效稳定的能量控制，助您的产品在性能和可靠性上占据领先地位。

• 型号:STP16NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。