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还在为高电流应用的效率瓶颈和发热难题寻找突破口吗？让意法半导体的STP160N4LF6为您提供强大助力！这颗N沟道功率MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，核心使命就是让您的电源管理和电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。

它拥有高达120A的连续电流处理能力和低至2.9毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升整体能效。其40V的耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于同步整流、电机控制还是大电流开关，STP160N4LF6都能让您轻松应对高功率密度设计挑战，是实现高性能、高可靠性产品的上佳之选。

• 型号:STP160N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP160N4LF6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。