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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？让STP15NM60N为您开启高效、可靠的电力转换新篇章。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，核心搭载ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它专为提升您的设计价值而生。优异的开关特性结合TO-220AB封装出色的散热能力，让您能轻松应对反激、正激、PFC等拓扑挑战，简化热管理设计。无论是工业电源、UPS还是照明驱动，选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的高性能基因。

• 型号:STP15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。