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还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？STP150NF04将彻底改变您的看法。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和惊人的80A连续电流能力，其核心魅力在于低至7毫欧的导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，让热量管理变得更轻松。

得益于先进的STripFET II技术，它不仅提供了卓越的电气性能，更确保了极高的可靠性。高达300W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），让它能从容应对工业驱动、电源转换等高要求场景的挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且稳定的“心脏”。

• 型号:STP150NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150NF04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。