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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压开关任务，同时保持高效低耗的“能量阀门”？STP14NK60Z正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的SuperMESH技术，能够显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更冷静、更高效。

它拥有13.5A的强大电流处理能力，配合优化的动态参数，确保开关动作既迅速又平稳。这意味着您可以更轻松地设计出高性能的系统，同时有效管理热耗散，提升整体可靠性。无论是升级现有产品还是开发新项目，它都能成为您电路中值得信赖的功率核心。

• 型号:STP14NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。