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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“核心干将”吗？STP14NF12正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有120V的漏源电压和14A的连续电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等应用中的主功率开关角色。

它采用STripFET II技术，实现了低至180毫欧的导通电阻，让您的系统导通损耗更低、效率更高、发热更少。高达60W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，确保了其在各种环境下的稳定性和耐久性。选择它，就是为您的产品注入高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STP14NF12
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 14A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NF12，ST（意法半导体）产品一站式供应商。