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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流开关任务的“核心引擎”吗？STP14N80K5正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和12A的连续电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更加高效、可靠。

它通过极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），大幅降低了开关损耗和驱动需求。这意味着您不仅能获得更高的系统能效，还能简化驱动电路设计，轻松实现更紧凑、散热更优的解决方案。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中都能稳定输出，是提升产品性能和耐用性的关键组件。

• 型号:STP14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。