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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP140N6F7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其精髓在于仅3.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率飙升，发热大幅减少。

它采用成熟的TO-220封装，易于安装和散热。优化的动态参数让您能够轻松实现高效、快速的开关控制。无论是用于提升现有产品的能效等级，还是开发更紧凑、更可靠的下一代设备，STP140N6F7都能以卓越的性能和稳定性，助您一臂之力，轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:STP140N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP140N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。