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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又冷静的“心脏”吗？STP140N4F6 N沟道功率MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体先进的STripFET F6技术打造，拥有40V/80A的强悍规格，其核心使命是让您轻松驾驭高效率的电源转换。

这颗芯片能为您做什么？它通过极低的导通电阻，大幅削减开关过程中的能量损耗，直接提升系统整体能效。同时，其优异的开关性能和TO-220封装带来的出色散热能力，让您在设计大电流应用如电机驱动、服务器电源或DC-DC转换器时，能够更加游刃有余，实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 制造商产品型号：STP140N4F6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP140N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。