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还在为高压大电流开关应用寻找一颗“得力干将”吗？STP13NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高要求任务。

它的核心魅力在于极高的效率。仅320毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的动态参数让开关控制快速而精准，帮助您简化驱动设计，提升整体可靠性。选择它，就是为您的产品注入高效稳定的核心动力。

• 型号:STP13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。