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还在寻找一颗能同时驾驭高压与高效率的功率开关吗？STP13N80K5就是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，专为让您的电源和电机驱动设计更高效、更可靠而生。

它凭借低至450毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接帮助您提升系统能效，减少发热。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，进一步削减开关损耗，使您能够轻松应对高频开关应用，实现更紧凑的电源设计。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的核心动力。

• 型号:STP13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。