我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP130N6F7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源系统的效率瓶颈而烦恼吗？STP130N6F7 N沟道功率MOSFET，就是您提升能效、简化设计的得力助手。它基于先进的STripFET F7技术，拥有仅为5毫欧的超低导通电阻（RDS(on)），能在大电流（高达80A）通过时，最大限度地减少能量损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭60V电压平台下的各种开关应用。其快速开关特性（低栅极电荷）和优异的散热能力（TO-220AB封装），特别适用于DC-DC转换器、电机驱动、UPS系统等高要求场景。无论是提升功率密度，还是增强系统可靠性，STP130N6F7都能让您的设计脱颖而出，以更少的损耗，释放更大的性能潜力。

• 型号:STP130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。