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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、高效率与高可靠性的功率开关管？STP12N65M5就是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh V技术，其650V的耐压和8.5A的电流能力，让您能够轻松驾驭从工业电源到新能源设备的各种中高功率应用场景。

这颗芯片的核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。它通过极低的导通电阻（典型值430毫欧）和栅极电荷（仅22nC），大幅降低了导通与开关损耗。这意味着更多的电能被有效利用，而不是浪费为热量，从而让您的产品效率更高、发热更少、寿命更长，最终帮助您打造出更具市场竞争力的优质产品。

• 型号:STP12N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。