我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP12N60M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP12N60M2正是您的理想之选！它基于ST先进的MDmesh M2技术打造，拥有600V的坚固耐压和9A的强大电流通过能力，让您在设计开关电源、电机驱动等应用时信心倍增。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。它极低的导通电阻（仅450毫欧）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，优化的动态参数确保开关动作快速利落，显著提升整体转换效率。选择它，就是为您的产品选择了可靠的动力核心与能效优势。

• 型号:STP12N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:538 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。