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您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP12N50M2正是为您的中高功率应用量身打造。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有500V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时底气十足。

这颗芯片的核心使命是让您的系统更高效、更可靠。其极低的导通电阻（仅380毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的低栅极电荷（15nC）则能显著降低开关损耗，帮助您轻松提升整体能效。坚固的TO-220封装确保了出色的散热性能，让您的设备在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定运行，无惧挑战。

• 型号:STP12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N50M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。