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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让意法半导体的STP12N120K5为您提供破局之道。这颗基于先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有1200V的高耐压和12A的强电流能力，其核心价值在于极低的690毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。

它不仅能轻松应对工业驱动、大功率开关电源的严苛要求，其优化的开关特性（低栅极电荷）更能帮助您实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能“心脏”。

• 型号:STP12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP12N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。