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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STP120NH03L正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有惊人的60A连续电流能力和低至5.5毫欧的导通电阻，能显著降低您电源或电机驱动电路中的导通损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET技术，在10V驱动下即可实现优异的性能，开关速度快，栅极电荷管理出色。高达110W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动高功率电机，STP120NH03L都能让您的设计轻松应对高负荷挑战，释放更强性能。

• 型号:STP120NH03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120NH03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。