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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP120NF10正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达110A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅10.5毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它基于先进的STripFET II技术打造，不仅开关速度快，栅极电荷管理优异，更能承受高达312W的功率耗散。这意味着您能轻松应对高负载、高频率的苛刻应用场景，从工业电机控制到高效电源转换，它都能提供稳定可靠的性能。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境下的卓越表现，让您的设计无后顾之忧，高效运行。

• 型号:STP120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。