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您正在寻找一颗能扛起650V高压、驾驭11A电流，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP11NM60正是为此而生。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有低至450毫欧的导通电阻，能显著降低您在开关电源或电机驱动应用中的导通损耗，直接提升系统整体能效。

它能让您的设计更轻松。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，不仅减少了开关损耗，还有助于简化驱动电路并控制EMI。高达160W的功率处理能力和宽广的工业级温度范围，让您无需担心其在恶劣环境下的稳定性和耐久性。选择STP11NM60，就是选择了一颗经过验证、能助您高效实现高性能功率转换目标的可靠芯脏。

• 型号:STP11NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。