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还在为高压电路中的开关损耗和散热问题烦恼吗？STP11NM50N正是为您排忧解难的利器。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和8.5A的强大电流处理能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等高要求场景。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻（仅470毫欧）和栅极电荷（19nC），意味着它能显著降低导通与开关过程中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。TO-220AB封装确保了出色的散热性能，配合-55°C至150°C的宽广工作温度范围，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定工作，大幅提升整体方案的耐用性和效率。

• 型号:STP11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。