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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持高效冷静的功率MOSFET吗？STP11NK50ZFP正是为此而生！它基于ST意法半导体先进的SuperMESH技术，拥有500V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，对高压环境充满信心。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。低至520毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让电能更高效地传输；而优化的栅极电荷和电容特性，则有助于降低开关损耗，提升系统整体频率和响应速度。这一切都意味着，您不仅能轻松达成能效目标，还能简化散热设计，提升产品可靠性。

采用经典的TO-220FP封装，它提供了优异的功率耗散能力（高达30W）和便捷的安装方式。选择STP11NK50ZFP，就是为您的电力应用选择一个久经考验、性能可靠的动力基石，助您高效实现稳定而强劲的功率控制。

• 型号:STP11NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP11NK50ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。