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还在寻找能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？STP110N7F6正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有68V的耐压和高达110A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅6.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它基于成熟的STripFET F6技术，不仅开关性能优异，而且坚固可靠。高达176W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，让您轻松应对各种严苛环境。无论是用于提升能效，还是缩小产品体积，STP110N7F6都能让您的设计脱颖而出，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:STP110N7F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N7F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。