我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP10NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电源转换的效率瓶颈而困扰吗？让STP10NM50N为您开启高效节能的新篇章。这颗来自意法半导体MDmesh II系列的N沟道MOSFET，凭借500V的高耐压和7A的电流处理能力，能轻松担任您系统中关键的功率开关角色。

它采用先进的平面技术，实现了低至630毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和驱动损耗，让您的电源设计更高效、发热更少。无论是用于开关电源、LED照明驱动还是电机控制，它都能帮助您提升系统整体性能，并简化散热设计。其坚固的TO-220封装确保了出色的功率耗散能力，让您的产品在各种环境下都稳定可靠。

• 型号:STP10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。