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还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗？让STP10NK80ZFP来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和9A的强大电流处理能力，专为要求严苛的开关场景而生。

它采用了先进的SuperMESH技术，能为您带来极低的导通电阻（仅900毫欧@10V），显著降低传导损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷让开关动作干净利落，驱动更轻松。无论是构建高效的电源、驱动电机还是管理功率，它都能让您的设计更高效、更可靠，轻松应对挑战。

• 型号:STP10NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP10NK80ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。