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还在为提升电源效率而苦苦思索吗？让STP10NK60ZFP为您带来改变。这颗基于SuperMESH技术的600V/10A N沟道MOSFET，凭借其低至750毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时减少发热，提升系统可靠性。

它不仅能帮助您应对严苛的高压环境，其优化的栅极电荷和电容特性还确保了快速干净的开关动作，让您的高频开关电源或电机驱动电路运行更加平稳高效。采用坚固的TO-220FP封装，为您提供出色的散热性能和通孔安装的便利性，是您打造紧凑、高效且耐用的功率转换方案的理想选择。

• 型号:STP10NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP10NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。