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您正在设计需要高效功率切换的电源或电机驱动方案吗？STP10N65K3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高压耐受能力和10A的连续电流输出，能轻松应对开关电源、照明镇流器等应用中的严峻挑战。

它的核心价值在于高效与可靠。仅1欧姆的导通电阻（@10V）意味着更低的导通损耗，让您的系统能效显著提升。同时，TO-220封装提供了优秀的散热路径，结合150W的功率耗散能力，确保芯片在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，让您的设计无惧高温环境，运行更加持久耐用。

• 型号:STP10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。