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还在为高压开关应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让意法半导体的STP10N60M2为您提供高效解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的600V N沟道MOSFET，拥有低至600毫欧的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低导通与开关损耗，帮助您的电源或电机驱动系统轻松提升能效，运行更凉爽、更安静。

它具备7.5A的连续电流能力和高达85W的功率耗散，确保在苛刻条件下依然稳定可靠。其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），让您在设计工业级、消费级应用时充满信心。选择STP10N60M2，就是选择让您的产品性能更卓越、市场竞争力更强。

• 型号:STP10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。