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还在为功率开关器件的效率瓶颈寻找突破口吗？STO67N60M6正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M6技术的600V/34A MOSFET，凭借其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统轻松实现更高的能效等级和功率密度。

它采用紧凑且散热优异的TOLL封装，不仅节省您的电路板空间，更能有效管理热耗散，确保系统在高温环境下稳定运行。无论是提升现有产品的性能，还是开发面向未来的高效能解决方案，STO67N60M6都能让您的设计过程更高效，最终产品更具市场竞争力。

• 型号:STO67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
• STO67N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。