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还在为功率开关的效率与尺寸发愁吗？让STN4NF20L来为您分忧！这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。它能轻松处理高达200V的电压和1A的连续电流，同时凭借低至1.5欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

这颗芯片采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，而其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，则确保了在各种环境下的卓越可靠性。无论是简化您的电路设计，还是提升最终产品的能效与功率密度，STN4NF20L都能让您以更小的体积，实现更强大的性能输出。

• 型号:STN4NF20L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN4NF20L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。