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还在为寻找一颗能兼顾高效能与紧凑体积的功率开关而烦恼吗？让STN4NF06L来为您解决难题！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和4A电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅100毫欧@10V）和栅极电荷，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

它采用易于焊接和散热的SOT-223封装，非常适合空间紧凑的现代电子设备。无论是用于提升适配器能效，还是实现精密的负载开关控制，STN4NF06L都能让您的设计轻松获得更高的可靠性和更优的整体性能，是工程师实现高效功率管理的理想选择。

• 型号:STN4NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN4NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。