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还在为高压开关电路的设计而烦恼吗？STN1NK80Z正是为您而来的解决方案！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和250mA的连续电流能力，让您在设计初级侧功率开关、LED驱动或辅助电源时信心十足，轻松应对高压挑战。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，却能高效管理2.5W的功率。其优化的动态参数，如低栅极电荷和合理的导通电阻，确保了快速、干净的开关行为，能显著提升您的系统效率并降低电磁干扰。选择它，意味着您选择了一个在-55°C到150°C全温度范围内都表现稳定的可靠伙伴，让您的产品在各种严苛环境下都能持久、高效地运行。

• 型号:STN1NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。