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还在为辅助电源或小功率开关电路寻找一颗既可靠又高效的“核心开关”吗？STN1NK60Z正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的耐压和仅6.9nC的超低栅极电荷，能让您轻松实现快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。

它专为高压小电流场景优化，300mA的连续电流处理能力配合优异的导热SOT-223封装，确保在紧凑空间内也能稳定散热，持久运行。无论是应对复杂的电网环境，还是追求极致的待机功耗，STN1NK60Z都能让您的设计更稳健、更高效，是您提升产品可靠性与市场竞争力的理想选择。

• 型号:STN1NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:94 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。