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您是否希望为您的电路找到一颗既能高效开关又能节省空间的“心脏”？STN1NF20正是这样一款专为 demanding 应用而生的N沟道MOSFET。它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，为您带来200V高压耐受和1A电流处理能力的可靠组合。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的功率转换与控制。其低至1.5欧姆的导通电阻和仅5.7nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗和驱动需求，从而提升整体系统能效。无论是用于AC-DC适配器、小功率电机驱动还是LED驱动，STN1NF20都能以紧凑的SOT-223封装，帮助您设计出更小巧、更节能、更可靠的产品。

• 型号:STN1NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:90 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。