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您正在寻找一颗能高效、可靠地担当电路“开关”角色的核心器件吗？STN1NF10正是为此而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和1A的连续电流处理能力，它能轻松胜任电源转换、电机驱动、负载切换等关键任务。

其核心价值在于卓越的能效表现。得益于STripFET II技术，它在导通时电阻极低，能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的动态参数让开关动作干净利落，助您构建响应迅速、运行平稳的电路。选择它，就是为您的设计注入一份高效与可靠的保障。

• 型号:STN1NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。