我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL9P3LLH6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既强劲又小巧的P沟道MOSFET而四处比对吗？STL9P3LLH6就是您期待的答案。这颗芯片能为您高效管理高达9A的电流，其卓越的低导通电阻特性（最低仅15毫欧）能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的系统发热和更高的整体能效。

它采用超紧凑的PowerFlat封装，面积仅3.3x3.3毫米，让您能在极其有限的空间内实现强大的电源开关或电机驱动功能，完美适配对体积有严苛要求的便携式设备或高密度电路板设计。同时，其宽广的工作温度范围和快速的开关性能，确保您的应用无论是在消费级产品还是工业环境中，都能稳定、可靠地运行。

• 型号:STL9P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL9P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。