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还在寻找那颗能同时满足高效率、高功率密度和出色散热需求的“全能型”MOSFET吗？STL90N6F7正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的STripFET F7技术，拥有仅5.4毫欧的超低导通电阻，能轻松处理高达90A的连续电流，大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

这颗N沟道MOSFET采用创新的PowerFlat封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热性能更能确保在高达175°C的结温下稳定工作。无论是用于提升服务器电源的转换效率，还是驱动高性能电动工具电机，STL90N6F7都能以更快的开关速度、更低的栅极驱动需求，助您轻松构建更紧凑、更可靠、性能更出众的电力电子系统。

• 型号:STL90N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），94W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL90N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。