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您是否正在寻找一颗能同时征服高效率和紧凑空间的功率开关？STL8N6LF6AG正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V/32A的强劲功率处理能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更快、更凉、更省心。

它通过极低的导通电阻（仅27毫欧@10V）和栅极电荷，大幅削减开关过程中的能量损耗，直接提升系统整体能效。同时，其采用的汽车级STripFET F6技术和PowerFlat微型封装，让您在获得卓越散热性能与高可靠性的同时，还能最大限度地节省宝贵的电路板空间。选择它，就是为您的设计注入了高效与紧凑的双重优势。

• 型号:STL8N6LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 9.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N6LF6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。