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您正在寻找一颗能扛起高功率重任，却又身形小巧、冷静高效的开关核心吗？STL8N10F7正是为您而来。这颗100V N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的20毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率跃升新台阶，直接转化为更强的产品性能和更长的运行时间。

它集成了意法半导体先进的STripFET VII技术，不仅提供高达35A的连续电流处理能力，更拥有极低的栅极电荷和开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。其坚固的PowerFlat封装和宽广的工作温度范围，确保它在严苛环境下依然稳定可靠，是您打造紧凑、高效、耐用产品的理想选择。

• 型号:STL8N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL8N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。