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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时节省宝贵电路板空间的“能量引擎”？STL80N3LLH6正是您期待的答案。这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，集成了STripFET VI技术，让您在30V电压下轻松驾驭80A大电流，而超低的5.2毫欧导通电阻能显著减少开关损耗，直接提升系统整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源开关设计运行得更凉爽、更高效。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松应对高频应用挑战。其坚固的设计支持高达150°C的结温，为您产品的长期可靠运行保驾护航。

• 型号:STL80N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL80N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。