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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的600V功率开关吗？STL7NM60N正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh II技术，为您提供高达5.8A的电流处理能力和低至900毫欧的导通电阻，让您的电源转换或电机驱动应用实现更低的损耗和更高的整体效率。

这颗芯片采用紧凑的14-PowerFLAT表面贴装封装，不仅节省电路板空间，其出色的热性能更能确保在高温环境下稳定运行。无论是开发工业电源、家用电器还是LED照明驱动，STL7NM60N都能让您的设计过程更轻松，最终产品更高效、更可靠。

• 型号:STL7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:14-PowerVQFN
• STL7NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。