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规格参数
制造商产品型号：STL7NM60N制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh II零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 2.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：363pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：68W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：14-PowerFLAT（5x5）STL7NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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