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还在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和节省空间要求的功率开关解决方案吗？让STL7N6LF3来为您实现！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您提升系统性能的得力助手。

它能在高达60V的电压和20A的电流下稳定工作，并以低至43毫欧的导通电阻，大幅降低开关过程中的能量损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。其极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，控制更精准。更重要的是，它采用紧凑的PowerFlat封装，并拥有汽车级AEC-Q101认证及宽广的工作温度范围，让您能轻松设计出适用于严苛环境的高可靠性产品。

• 型号:STL7N6LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:432 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.3W（Ta），52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7N6LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。