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还在为功率密度和效率的平衡而头疼吗？STL6P3LLH6 P沟道MOSFET正是为您的高效设计而生。它基于STripFET H6技术，为您带来30V/6A的强大功率处理能力，同时凭借低至30毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能轻松集成到您的负载开关、电源路径管理和电机控制电路中。其极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您能够实现更高频率的开关操作，从而使用更小的外围元件，简化设计并降低成本。无论是提升便携设备的续航，还是增强工业设备的可靠性，它都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:STL6P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL6P3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。