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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内爆发巨大能量的开关核心？STL65N3LLH5正是为您而来。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达65A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的5.8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您轻松实现高密度PCB布局。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动设计更简单，开关速度更快，从而帮助您提升系统整体频率和动态响应。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“动力心脏”。

• 型号:STL65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL65N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。