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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与超小体积的功率开关吗？STL60NH3LL正是为您而生的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30A的强劲电流处理能力和低至8.5毫欧的导通电阻，能显著降低您电源模块的导通损耗，提升整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它采用先进的PowerFlat封装，在极小的占板面积下实现了高达60W的功率耗散能力，完美适配您对高功率密度设计的追求。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，STL60NH3LL都能以高效的性能和可靠的品质，助您打造出更紧凑、更强劲的终端产品。

• 型号:STL60NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL60NH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。